[发明专利]半导体放电管制造方法的改进无效
| 申请号： | 99120051.9 | 申请日： | 1999-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1296285A | 公开（公告）日： | 2001-05-23 |
| 发明（设计）人： | 吴建春;荆浩群 | 申请（专利权）人： | 吴建春;荆浩群 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 郑州中原专利事务所 | 代理人： | 祁熙文 |
| 地址： | 450042 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体放电管由封闭于塑料管中的两电极和半导体片构成,用于泄漏设备上不应有的电荷,尤其是通讯设备上不应带的电荷,老的制造工艺因注塑冷凝时的张力作用,使得成品率低而且成品易有内伤,本发明可使成品率大大提高而且消除了成品的内伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 放电 制造 方法 改进 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体放电管的方法是将两面焊有电极的半导体片放于塑模中注塑并冷却，其特征在于注塑前将每个电极分为两个分立部分，注塑、冷凝后将电极的两个部分焊接起来。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吴建春;荆浩群，未经吴建春;荆浩群许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99120051.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：装配整体式天线罩的新做法
- 下一篇：高强度复合材料管道井盖生产方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
