[发明专利]有高介电常数的介电材料或铁电材料的电容器及制造方法无效
申请号: | 99120212.0 | 申请日: | 1999-09-17 |
公开(公告)号: | CN1254954A | 公开(公告)日: | 2000-05-31 |
发明(设计)人: | T·施勒塞尔;G·朗格;M·弗拉诺施;H·温德特 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 马铁良,叶恺东 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 具有高ε介电材料或铁电材料的电容器介电材料(9)的电容器,其含贵金属的存储器电极具有多层薄片(61),这些薄片经支撑结构(7)彼此连接并且在必要时与载体连接。支撑结构可以安置在薄片的一个或多个外侧面之上,或者可以在内部通过薄片伸展。制作可以例如通过交替地用较低和较高腐蚀率的层系列的淀积(必要时在下部区域具有阻止腐蚀层),腐蚀成层结构,形成支撑结构以及有选择的除去具有高腐蚀率的层来实现。 | ||
搜索关键词: | 介电常数 材料 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.安置在半导体装置内的载体上的电容器,-具有含贵金属的第1电极(61,7),-具有由高ε介电材料或铁电材料构成的电容器介电材料(9),-具有第2电极(10),其特征为:第1电极具有至少两彼此相隔的薄片(61),这些薄片基本上对载体表面平行安置并经支撑结构(7)彼此电和机械连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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