[发明专利]有高介电常数的介电材料或铁电材料的电容器及制造方法无效

专利信息
申请号: 99120212.0 申请日: 1999-09-17
公开(公告)号: CN1254954A 公开(公告)日: 2000-05-31
发明(设计)人: T·施勒塞尔;G·朗格;M·弗拉诺施;H·温德特 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 马铁良,叶恺东
地址: 联邦德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 具有高ε介电材料或铁电材料的电容器介电材料(9)的电容器,其含贵金属的存储器电极具有多层薄片(61),这些薄片经支撑结构(7)彼此连接并且在必要时与载体连接。支撑结构可以安置在薄片的一个或多个外侧面之上,或者可以在内部通过薄片伸展。制作可以例如通过交替地用较低和较高腐蚀率的层系列的淀积(必要时在下部区域具有阻止腐蚀层),腐蚀成层结构,形成支撑结构以及有选择的除去具有高腐蚀率的层来实现。
搜索关键词: 介电常数 材料 电容器 制造 方法
【主权项】:
1.安置在半导体装置内的载体上的电容器,-具有含贵金属的第1电极(61,7),-具有由高ε介电材料或铁电材料构成的电容器介电材料(9),-具有第2电极(10),其特征为:第1电极具有至少两彼此相隔的薄片(61),这些薄片基本上对载体表面平行安置并经支撑结构(7)彼此电和机械连接。
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