[发明专利]具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器无效
| 申请号： | 99120597.9 | 申请日： | 1993-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1254958A | 公开（公告）日： | 2000-05-31 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一个适用于动态激活光电显示器的电路是由薄膜绝缘栅半导体器件构成的。这种器件包括仅产生少量漏电流的PMOSTFTs。除该动态电路以外,还构成了既包括NMOS又包括PMOS薄膜晶体管的CMOS电路,用以驱动该动态电路。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 薄膜晶体管 电子器件 矩阵 器件 光电 显示 半导体 存贮器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：一衬底；一氮化硅膜，在衬底上形成；一氧化硅膜，在氮化硅膜上形成；一半导体膜，在氧化硅膜上形成，含有源极区和漏极区和介在两者之间的沟道区；一栅电极，毗邻至少所述沟道区形成，两者之间有一栅绝缘膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99120597.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于给药睾酮和睾酮前体的阴道内给药装置
- 下一篇：化合物
- 同类专利
- 专利分类
