[发明专利]一种合成的层状二氧化硅分子筛无效

专利信息
申请号: 99120816.1 申请日: 1999-09-22
公开(公告)号: CN1288857A 公开(公告)日: 2001-03-28
发明(设计)人: 程谟杰;包信和;谭大力;林励吾 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C01B33/113 分类号: C01B33/113
代理公司: 中国科学院沈阳专利事务所 代理人: 张晨
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种合成的层状二氧化硅分子筛,其原粉具有下述的X-射线粉未衍射特征d值(A),衍射相对强度(I/IO%);20.3±0.50,100;9.93±0.20,47±30;7.19±0.10,32±30;6.35±0.10,38±30;4.97±0.10,32±20;4.53±0.10,100;4.00±0.10,44±20;3.22±0.10,40±20;3.18±0.10,33±20;本发明具有与以往分子筛不同的结构,且可以通过或不通过金属离子修饰用作催化剂。
搜索关键词: 一种 合成 层状 二氧化硅 分子筛
【主权项】:
1.一种合成的层状二氧化硅分子筛,其原粉具有下述的X-射线粉未衍射特征:d值()衍射相对强度(I/I0%)20.3±0.501009.93±0.2047±307.19±0.1032±306.35±0.1038±304.97±0.1032±204.53±0.101004.00±0.1044±203.22±0.1040±203.18±0.1033±20活化或离子交换后具有下述的X-射线粉未衍射特征d值()衍射相对强度(I/I0%)33.7±3.037±2017.5±1.5040±2012.5±0.1055±2011.1±0.1025±208.79±0.1045±306.23±0.1050±303.91±0.0535±303.41±0.051003.19±0.0530±20
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