[发明专利]带有每位线栓柱四个节点和两级字线布局的61/4f2DRAM单元结构有效

专利信息
申请号: 99120850.1 申请日: 1999-09-30
公开(公告)号: CN1267090A 公开(公告)日: 2000-09-20
发明(设计)人: A·希克 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 邹光新,王忠忠
地址: 联邦德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种四柱型单元结构,将两个不同的单元之间的共享位线栓柱延伸(一维线中排列,例如W方向),进一步到在两维区域(x和y方向)内尽可能大程度地共享,随后形成一个位线栓柱周围交叉的四个单元,每个漏区和埋置带延伸到侧边,附带的沟槽形成钩形结构。
搜索关键词: 带有 每位 线栓柱 四个 节点 两级 布局 61 f2dram 单元 结构
【主权项】:
1.一种半导体存储器,包括:多个第一字线和多个第二字线,所述多个第一字线主要在与所述多个第二字线主要延伸的不同平面内延伸。
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