[发明专利]带有每位线栓柱四个节点和两级字线布局的61/4f2DRAM单元结构有效
申请号: | 99120850.1 | 申请日: | 1999-09-30 |
公开(公告)号: | CN1267090A | 公开(公告)日: | 2000-09-20 |
发明(设计)人: | A·希克 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 邹光新,王忠忠 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种四柱型单元结构,将两个不同的单元之间的共享位线栓柱延伸(一维线中排列,例如W方向),进一步到在两维区域(x和y方向)内尽可能大程度地共享,随后形成一个位线栓柱周围交叉的四个单元,每个漏区和埋置带延伸到侧边,附带的沟槽形成钩形结构。 | ||
搜索关键词: | 带有 每位 线栓柱 四个 节点 两级 布局 61 f2dram 单元 结构 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器,包括:多个第一字线和多个第二字线,所述多个第一字线主要在与所述多个第二字线主要延伸的不同平面内延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的