[发明专利]使用阴影心轴和偏轴曝光印制亚光刻图像无效
| 申请号： | 99121520.6 | 申请日： | 1999-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1253311A | 公开（公告）日： | 2000-05-17 |
| 发明（设计）人： | 古川俊治;M·C·哈利;S·J·霍尔梅斯;D·V·霍拉克;P·A·拉比多西 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/30;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明克服了现有技术的局限,能形成逻辑电路中使用的较小部件。本发明提供了一种在通过使用称做阴影心轴层的材料层产生阴影,在半导体衬底上限定和形成结构的新方法。在阴影心轴层中腐蚀出沟槽。沟槽的至少一侧用于在沟槽的底部投射阴影心轴层。保形淀积的光致抗蚀剂用于捕获阴影的图像。阴影的图像用于限定和形成结构。这能够在晶片的表面上形成图像,不会产生常规光刻中遇到的衍射效应。这样能够减小器件的尺寸并增加芯片的工作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 阴影 心轴 曝光 印制 光刻 图像 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上限定结构的方法，包括以下步骤：a.在衬底上淀积阴影心轴层；b.在阴影心轴层中腐蚀出沟槽，沟槽具有侧壁和底部；c.在阴影心轴层和沟槽上淀积光致抗蚀剂层；d.以曝光沟槽底部第一部分的光致抗蚀剂和使沟槽底部第二部分的光致抗蚀剂由沟槽侧壁阻挡并且不曝光的角度曝光光致抗蚀剂层；e.显影光致抗蚀剂层；以及f.使用显影的光致抗蚀剂层限定结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99121520.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无线系统的空间时间分集接收机
- 下一篇：自行车踏板
