[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 99121621.0 | 申请日： | 1999-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1250226A | 公开（公告）日： | 2000-04-12 |
| 发明（设计）人： | 青木秀充 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在制造具有多层互连的半导体器件的方法中,在形成通孔之后,用包含能够与铜类金属沾污物形成络合物的络合剂的清洗液清洗通孔内部。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.制造半导体器件的方法，包括下列步骤：(A)在半导体衬底上形成由包括铜或铜合金的金属材料构成的金属布线，(B)在金属布线上形成层间绝缘膜，(C)通过干腐蚀，在层间绝缘膜的预定位置形成到达金属布线的通孔，(D)使用含有能够与沾污物形成络合物的络合剂的清洗液，去除由金属材料和/或其化合物构成且作为干腐蚀的结果粘附于通孔内壁上的沾污物，(E)在通孔的内壁上形成阻挡金属膜，然后在所获得的整个衬底表面上形成导电膜，以填充通孔，和(F)通过腐蚀或化学机械抛光，去除形成于通孔外部的导电膜和阻挡金属膜的不需要部分，获得平坦的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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