[发明专利]发光半导体装置及其制作方法无效
| 申请号： | 99122398.5 | 申请日： | 1999-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1295350A | 公开（公告）日： | 2001-05-16 |
| 发明（设计）人： | 洪详竣;简奉任;赖穆人 | 申请（专利权）人： | 洲磊科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐娴 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光半导体装置及其制作方法,在本装置中,一反射层制作在发光半导体堆叠结构上,再将一第二衬底结合在反射层之上,最后,将堆叠结构的原衬底去除,以第二衬底作为整体装置的衬底。由于反射层可将发光半导体射向衬底方向的光有效地反射出,故能有效地提高发光半导体装置的发光效率;本发明亦可将使用绝缘衬底制作的发光半导体装置中的电极改制成垂直式电极,以有效地降低晶粒制作的单位面积。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光半导体装置，包括：一半导体堆叠结构，用以回应电流的导通而发出光线，一衬底及电极，电极用以施加电流至半导体堆叠结构；其特征在于，还包括：一反射层，位于半导体堆叠结构的一主要表面上，用以反射由堆叠结构产生的光线；衬底为一厚层，位于反射层的表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于洲磊科技股份有限公司，未经洲磊科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99122398.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微小型热电堆元件及其形成热隔离的方法
- 下一篇：太阳能电池充电型笔记本电脑
