[发明专利]降低绝缘体上硅晶体管寄生双极电流的方法和装置有效
| 申请号： | 99123180.5 | 申请日： | 1999-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1152435C | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 邝仁德;陆鹏飞;玛丽·约瑟夫·萨卡曼多 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在降低绝缘体场效应晶体管(“FET”)中的寄生双极电流的方法和装置中，对于n型FET，响应于NFET的开启，绝缘体NFET的体被电隔离。这使电荷能够结合NFET的开启而积累在体上，临时降低了绝缘体NFET的阈值电压。响应于绝缘体NFET的关断，体上的至少一部分电荷被放电。这一体放电降低了若体在NFET被关断期间已经被充电而重新开启NFET时可能产生的寄生双极电流。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 绝缘体 晶体管 寄生 电流 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种降低场效应晶体管中寄生双极电流的装置，它包含：绝缘体场效应晶体管，具有至少部分位于绝缘体上的体；耦合到绝缘体场效应晶体管的体和栅的用来响应加于栅电极上的电压而控制体上的电荷的控制电路，其中控制电路具有放电路径，控制电路的工作可以在绝缘体场效应晶体管关断时开启该路径并至少使部分积累在体上的电荷放电，在绝缘体场效应晶体管开启时关断该路径，使得体浮置以及电荷在体上积累。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99123180.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
