[发明专利]超硬纳米多层薄膜及其制作工艺无效

专利信息
申请号: 99124104.5 申请日: 1999-11-24
公开(公告)号: CN1117886C 公开(公告)日: 2003-08-13
发明(设计)人: 李戈扬;许俊华;金燕苹;戴嘉维;顾明元 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/34;C04B41/50
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟,马伟敏
地址: 200030*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明在金属或陶瓷的基体上利用反应溅射沉积法制取NbN层和TaN层多层薄膜,根据使用求交替制取NbN层和TaN层。多层薄膜制取工艺为:首先将金属或陶瓷的基体表面作镜面抛光处理,利用反应溅射沉积法制取多层薄膜,交替制取NbN层和TaN层,各层厚度控制在1.5nm~9.0nm,且厚度比为1,交替沉积多层薄膜总厚度为1μm~3μm。
搜索关键词: 纳米 多层 薄膜 及其 制作 工艺
【主权项】:
1、一种超硬纳米多层薄膜,其特征在于在金属或陶瓷的基体(1)上利用反应溅射沉积法制取NbN层(2)和TaN层(3)多层薄膜,根据使用要求交替制取NbN层(2)和TaN层(3)。
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