[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层,并在含卤素气氛中热处理,除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。

主权项

1.一种EL(电致发光)显示器，包括：一个像素矩阵电路，在整个衬底上形成，且有一个薄膜晶体管；和一个逻辑电路，在整个所述衬底上形成，供驱动所述EL显示器，具有一个P沟道薄膜晶体管和一个N沟道薄膜晶体管；各所述P沟道薄膜晶体管和所述N沟道薄膜晶体管包括：一晶硅膜有源层，在整个所述衬底上形成；一栅绝缘膜，在所述有源层表面上形成；和一个栅极，在所述栅绝缘膜上形成；其特征在于，所述有源层含浓度不大于1×1018原子/立方厘米，起晶化促进作用的金属元素；且所述N沟道薄膜晶体管和所述P沟道薄膜晶体管表示电气特性的S值的标准偏差分别在10毫伏/衰变内和15毫伏/衰变内。