[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 99124857.0 | 申请日： | 1997-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1272683A | 公开（公告）日： | 2000-11-08 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;大谷久;小山润;福永健司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H04N5/225;G09F9/33 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层,并在含卤素气氛中热处理,除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电视摄像机，包括：一个像素矩阵电路，在整个衬底上形成，且有一个薄膜晶体管；和一个逻辑电路，在整个所述衬底上形成，供驱动所述像素矩阵电路，具有一个P沟道薄膜晶体管和一个N沟道薄膜晶体管；各所述P沟道薄膜晶体管和所述N沟道薄膜晶体管包括：一晶硅膜有源层，在整个所述衬底上形成；一栅绝缘膜，在所述有源层的表面上形成；一个栅极，在所述栅绝缘膜上形成；其特征在于，所述有源层含浓度不高于1×1018原子/立方厘米的一种起晶化促进作用的金属元素；且所述N沟道薄膜晶体管和所述P沟道薄膜晶体管表示电气特性的S值的标准偏压分别在10毫伏/衰变和15毫伏/衰变的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
