[发明专利]抗蚀剂图案,形成抗蚀剂图案的工艺以及形成布线图案的工艺无效
| 申请号： | 99124871.6 | 申请日： | 1999-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1254944A | 公开（公告）日： | 2000-05-31 |
| 发明（设计）人： | 丰田祐二;越户义弘;长谷川正幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28;H01L21/768;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种形成布线图案的工艺,包含步骤通过光掩膜使抗蚀剂曝光,所述光掩膜具有线宽等于或小于分辨极限的图案;并使曝光后的抗蚀剂显像,以形成抗蚀剂图案,它的表面上具有槽凹陷,凹陷未达到抗蚀剂图案的背面。抗蚀剂可以是正抗蚀剂,其中抗蚀剂图案形成在底板馈送薄膜上;电镀金属沉淀在馈送薄膜未由抗蚀剂图案覆盖的区域中;在沉淀后将抗蚀剂去掉;在未由电镀金属覆盖的区域中将馈送薄膜选择性地去掉。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 图案 形成 工艺 以及 布线 | ||
【主权项】：
1.一种具有抗蚀剂图案的基片，其中所述抗蚀图案具有表面和背面，其特征在于所述抗蚀剂图案包含形成在其表面上的多个凹陷，所述凹陷未达到抗蚀剂图案的背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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