[发明专利]多芯片模组装置及其制造方法无效
申请号: | 99124875.9 | 申请日: | 1999-11-22 |
公开(公告)号: | CN1297252A | 公开(公告)日: | 2001-05-30 |
发明(设计)人: | 沈明东 | 申请(专利权)人: | 沈明东 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/98;H01L25/00 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种多芯片模组装置及其制造方法。多芯片模组装置包括一基板,基板形成有一穿孔,在其一个表面上设有预定的电路轨迹;一第一芯片单元,具有粘接垫安装表面及粘接垫,安装于基板的其中一个表面上以致于在第一芯片单元与基板的穿孔的孔壁之间形成有一芯片单元容置空间且粘接垫与基板的对应的电路执迹电连接;及至少一第二芯片单元,置于芯片单元容置空间内且其粘接垫与第一芯片单元的对应的粘接垫电连接。 | ||
搜索关键词: | 芯片 模组 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多芯片模组装置的封装方法,包括如下步骤:提供一第一基板,该第一基板具有一第一表面和一与该第一表面相对的第二表面,该第一基板形成有多个电镀贯孔且在该第一基板的第二表面上布设有预定的电路轨迹,在各电镀贯孔的孔壁上电镀有一层与对应的电路轨迹电气连接的导电材料,在该第一基板的第二表面上还设置有多个测试凸点,这些测试凸点与对应的电路轨迹电气连接;提供一尺寸比该第一基板小的第二基板,该第二基板在不覆盖该第一基板的测试凸点下被置放于该第一基板上,该第二基板具有一与该第一基板的第二表面粘接的第一表面和一与该第一表面相对的第二表面,在该第二基板的第二表面上布设有预定的电路轨迹且设置有多个测试凸点,该第二基板还形成有多个与该第一基板的对应的电镀贯孔对准的电镀贯孔和一穿孔,以致于在该第二基板的穿孔的孔形成壁与该第一基板之间形成一第一芯片单元容置空间,在该第二基板的各电镀贯孔的孔壁上电镀有一层与该第二基板的对应的电路轨迹及该第一基板的对应的电镀贯孔的导电材料电气连接的导电材料;利用一第一粘胶层把一第一芯片单元置放于该第一芯片单元容置空间内,该第一芯片单元具有一设置有多个粘接垫的粘接垫安装表面,该第一粘胶层具有一与该第一基板的第二表面粘接的第一粘接表面和一与该第一芯片单元的粘接垫安装表面粘接的第二粘接表面,该第一粘胶层对应于该第一芯片单元的粘接垫形成有多个暴露该第一芯片单元的对应的粘接垫的窗孔,在各窗孔的孔形成壁与该第一芯片单元和该第一基板之间形成一用以容置用于实现该第一芯片单元的粘接垫与该第一基板的对应的电路轨迹的电气连接的导电体的导电体容置空间;通过第一基板上的测试凸点对该第一芯片单元进行测试;提供一尺寸比该第二基板小的第三基板,该第三基板在不覆盖该第二基板的测试凸点下被置放于该第二基板上,该第三基板具有一与该第二基板的第二表面粘接的第一表面和一与该第一表面相对的第二表面,在该第三基板的第二表面上布设有预定的电路轨迹且设置有多个测试凸点,该第三基板还形成有多个与该第二基板的对应的电镀贯孔对准的电镀贯孔和一与该第二基板的穿孔同轴心且比该第二基板的穿孔大的穿孔,以致于在该第三基板的穿孔的孔形成壁与该第二基板之间形成一第二芯片单元容置空间,在该第三基板的各电镀贯孔的孔壁上电镀有一层与该第三基板的对应的电路轨迹及该第二基板的对应的电镀贯孔的导电材料电气连接的导电材料;利用一第二粘胶层把一第二芯片单元置放于该第二芯片单元容置空间,该第二芯片单元具有一设置有多个粘接垫的粘接垫安装表面,该第二粘胶层具有一与该第二基板的第二表面粘接的第一粘接表面和一与该第二芯片单元的粘接垫安装表面粘接的第二粘接表面,该第二粘胶层对应于该第二芯片单元的粘接垫形成有多个暴露该第二芯片单元的对应的粘接垫的窗孔,在该第二粘胶层的各窗孔的孔形成壁与该第二芯片单元和该第二基板之间形成一用以容置用于实现该第二芯片单元的粘接垫与该第二基板的对应的电路轨迹的电气连接的导电体的导电体容置空间;通过第二基板上的测试凸点对该第二芯片单元进行测试;及将所有基板的边缘切齐到适当的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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