[发明专利]形成无边框栅结构的方法和由此形成的装置有效
| 申请号： | 99126409.6 | 申请日： | 1999-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1263356A | 公开（公告）日： | 2000-08-16 |
| 发明（设计）人： | 古川俊治;M·C·哈奇;S·J·霍梅斯;D·V·霍拉克;P·A·拉比多西 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/318;H01L21/3205;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在晶体管中形成栅导体包覆的方法,包括以下步骤a)形成多晶硅栅导体;b)掺杂多晶硅部分;c)掺杂扩散区域;以及d)通过选自选择性氮化物淀积和选择性表面氮化的氮化方法包覆栅导体。所得晶体管包括包覆的栅导体和无边框扩散接触,其中通过选自选择性氮化物淀积和选择性表面氮化的氮化方法进行包覆,其中在氮化方法期间掩蔽部分栅导体,留出开口用做局部互连或栅接触的接触区域。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 边框 结构 方法 由此 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在晶体管中形成栅导体包覆的方法，包括以下步骤：在具有半导体部分的衬底上形成栅导体的多晶硅部分；掺杂多晶硅部分；在半导体部分中掺杂多个扩散区域；以及通过选择性氮化方法包覆栅导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
