[发明专利]用于增强半导体化学－机械抛光过程中金属去除率的方法无效
| 申请号： | 99126529.7 | 申请日： | 1999-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1257305A | 公开（公告）日： | 2000-06-21 |
| 发明（设计）人： | R·J·舒茨 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B24B1/00;C23F4/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王其灏 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于在CMP期间增强金属阻挡层去除率的方法,它包括提供具有绝缘体层、在至少一部分绝缘体层上所形成的金属阻挡层和其上所形成的导电层的半导体晶片,并使该半导体晶片与含有增强金属去除量的至少一种螯合剂的化学－机械抛光浆进行接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 半导体 化学 机械抛光 过程 金属 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体晶片的化学-机械抛光期间用于增强金属阻挡层金属去除率的方法，它包括：a)提供一种具有绝缘体层、在至少一部分绝缘体层上所形成的金属阻挡层和其上所形成的导电层的半导体晶片；和b)使该半导体晶片与第一种含有增强金属去除量的至少一种螯合剂的化学-机械抛光浆进行接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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