[发明专利]DC/DC变换器的自驱动电路有效
| 申请号： | 99126693.5 | 申请日： | 1999-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1101989C | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张兴柱;董晓鹏 | 申请（专利权）人： | 艾默生网络能源有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 518129 深圳市龙岗区坂*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低压大电流高功率密度DC/DC变换器的自驱动电路，该变换器包括变压器部分、功率MOS管部分(S)、输出整流部分(SR1、SR2)、滤波部分和去磁部分；该自驱动电路的第1种结构的电路由Da、Ra、Ca、Qa组成，对SR2进行自驱动；第2种结构的电路由Da、Ra、Sa、一个延时驱动电路和一个隔离微分电路组成，对SR2进行自驱动，本发明的自驱动电路能使交叉导电损耗最小，变换器效率最高。 | ||
| 搜索关键词： | dc 变换器 驱动 电路 | ||
【主权项】：
1.一种DC/DC变换器的自驱动电路，所述变换器的整流部分包括第一及第二同步整流MOS晶体管(SR1)和(SR2)，其特征在于，所述自驱动电路由第一电阻(Ra)、第一电容(Ca)、第一晶体管(Qa)及所述第一二极管(Da)组成，所述第一电阻(Ra)和第一电容(Ca)并联连接，其并联的一端与所述第一绕组(Ns)的正极连接，另一端与所述第一晶体管(Qa)的基极相连；所述第一晶体管(Qa)的发射极与所述第一同步整流MOS晶体管(SR1)的源极相连，而其集电极与所述第一二极管(Da)的阴极和第二同步整流MOS晶体管(SR2)的门极相连；所述第一二极管(Da)的阳极与所述第一绕组(Ns)的负极相连，而其阴极与所述第二同步整流MOS晶体管(SR2)的门极相连。
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