[发明专利]自对准沟道注入

摘要

在容纳晶体管的半导体主体内，短沟道绝缘栅场效应晶体管具有导电类型与主体相同、但具有更高杂质浓度的掩埋层。掩埋层位于沟道区下面并且实际上只延伸在晶体管的源极和漏极区之间的距离。形成该器件的工艺在栅极下面的区域中提供高浓度，以抑制横向耗尽区扩张，而同时保持垂直方向上的渐变结。

主权项

1.一种绝缘栅场效应晶体管，包括第一导电类型的半导体主体和相反导电类型的第一以及第二区，各区均具有在所述半导体主体的表面处的部分并且被所述半导体主体的一部分隔开，在所述晶体管工作期间在所述半导体主体的该部分中选择性地形成沟道，所述晶体管包括：一个介质层，重叠在所述第一和第二区之间的所述半导体主体的表面处并适用于充当栅极介质；一个栅极导体，重叠在所述介质层上并用于充当栅极；以及一个第一导电类型的掩埋区，其杂质浓度比所述半导体主体的要高并且基本上位于所述第一和第二区之间并偏离于所述半导体主体的表面，所述掩埋层与所述栅极导体对准。