[实用新型]改良结构的高密度扩充槽无效

专利信息
申请号: 99207670.6 申请日: 1999-04-05
公开(公告)号: CN2378859Y 公开(公告)日: 2000-05-17
发明(设计)人: 刘进卿 申请(专利权)人: 刘进卿
主分类号: H01R31/06 分类号: H01R31/06;H01R13/42;H01R13/10
代理公司: 天津三元专利事务所 代理人: 郑永康
地址: 中国*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种改良结构的高密度扩充槽,包括一本体,于二侧壁上设有多个相对的封闭式容置槽及开放式容置槽,其相互间隔配置,封闭式容置槽容纳内接触端子,开放式容置槽容纳外接触端子,封闭式容置槽设一支撑板及一槽口,开放式容置槽设有一开口、一容置空间及一顶持空间;因内、外接触端子是间隔配置于容纳槽中,以加大端子的排列距离,每一端子的磁场就不会过于接近而相互干扰,因此就不会有交吵的现象,以提升讯号传输的稳定性。
搜索关键词: 改良 结构 高密度 扩充
【主权项】:
1、一种改良结构的高密度扩充槽,其包括有由不导电材料制成的一本体,其中央沿纵轴方向设置有一个插槽,以供一存储器模组插置于其中,该插槽是由二个相对的侧壁所构成,该二侧壁设置有多个相对的容置槽,其特征在于,该容置槽由多个开放式容置槽及封闭式容置槽所构成,并以间隔方式相互配置,该开放式容置槽的内侧设有一开口,位于开口后端开设有一容置空间,容置空间的后端设有一顶持空间;设置于多个开放式容置槽中的外接触端子;设置于多个封闭式容置槽中的内接触端子。
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