[实用新型]常闭型槽形栅静电感应器件无效
| 申请号： | 99208627.2 | 申请日： | 1999-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN2366973Y | 公开（公告）日： | 2000-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 李思敏 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70 |
| 代理公司： | 北京市专利事务所 | 代理人： | 张卫华 |
| 地址： | 100011 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 常闭型槽形栅静电感应器件包括硅衬底片、源区、基区、栅区、漏区,源区的上面连接与源电极金属层相连接的掺磷多晶硅层,每条槽的底面和侧面覆盖绝缘层,侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面,相邻的两个P+型栅区之间,在硅衬底片上表面绝缘层与硅衬底片上表面N+型源区的下面有一个P型基区,P型基区的深度比P+型栅区的深度浅。它可兼顾正向导通和截止阻断能力,正向导通特性均匀一致,电流密度大。 | ||
| 搜索关键词： | 常闭型槽形栅 静电感应 器件 | ||
【主权项】：
1.一种常闭型槽形栅静电感应器件，包括下层为低阻层、上层为N-型高阻层的硅衬底片、源区及源电极金属层、基区、栅区及栅电极、漏区及漏电极金属层，N+型源区在硅衬底片的上表面，硅衬底片的上表面上开有多于一条的槽，每条槽的底部是P+型栅区，硅衬底片的下层低阻层是漏区，漏区的下面是漏电极金属层，其特征在于：所述源区的上面连接掺磷多晶硅层，该掺磷多晶硅层与源电极金属层连接；所述每条槽的底面和侧面覆盖绝缘层，侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面；所述相邻的两个P+型栅区之间，在硅衬底片上表面绝缘层与硅衬底片上表面N+型源区的下面有一个P型基区，P型基区的深度比P+型栅区的深度浅。
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