[实用新型]多频抑波器

摘要

本实用新型公开了一种多频抑波器,这包括宽频功率放大电路、隔离电路和天线,特征是还包括噪声信号发生电路和振荡电路。噪声信号发生电路产生的1KHz～1MHz的信号,经振荡电路调制后调制在26～470MHz、806～960MHz、1800～1920MHz频谱上,再经宽频功率放大电路功率放大、隔离电路隔离,最后由天线发射出去,就能有效抑制在某一特殊场合的移动电话和寻呼机的电磁波,保持安静,本实用新型适合于在会议室、法院等处使用。

主权项

1.一种多频抑波器，包括宽频功率放大电路(1)、隔离电路(2)和天线(Y)，其特征在于：还包括噪声信号发生电路和振荡电路，其中噪声信号发生电路由集成电路IC、三极管T1、电阻R1～R5、电容C1～C4组成，集成电路IC的输出端3脚与电阻R3串联后接三极管T1的基极，电阻R3串接在集成电路IC的输出端3脚和高触发端6脚低触发端2脚的公共端之间，电容C2串接在高触发端6脚，低触发端2脚的公共端和地之间，电容C1串接在控制电压端5脚和地之间，电阻R2一端接集成电路IC的输出端3脚、另一端与电阻R1串接后接三极管T1的集电极、集成电路IC的电源端8脚、复住端4脚的公共端，三极管T1的集电极与电阻R10，电感L4依次串接后接电源极，集成电路IC的接地端1脚接地，三极管T1的发射极与电阻R5串联后接地，电容C3并接在三极管T1的发射极和电阻R1、R2串联连接的公共端之间，振荡电路由三极管T2、场效应管FET、电阻R6～R9、电容C5～C9、电感L1～L3、二极管D及其它元件组成，电容C4一端接三极管T1的发射极，另一端与电阻R6、电感L1串联后接二极管D的阴极，二极管D的阳极与电容C5串接后接三极管T2的基极，三极管T2的发射极与电阻R7、R8、电感L2、电容C7、电感L3依次串接后接场效应管FET的栅极G，电容C6并接在三极管T2的集电极和发射极之间，场效应管FET的源极接地，漏极与电容C8、电阻R9、电容C9依次串接后接宽频功率放大电路的输入端。