[实用新型]多倍记忆容量的记忆体模组无效
| 申请号： | 99217217.9 | 申请日： | 1999-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN2386515Y | 公开（公告）日： | 2000-07-05 |
| 发明（设计）人： | 郭丽玉 | 申请（专利权）人： | 郭丽玉 |
| 主分类号： | G11C5/00 | 分类号： | G11C5/00;H05K13/00 |
| 代理公司： | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人： | 曹广生 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种记忆体模组,它主要是数个记忆体晶片以覆晶式排列装设在一长片状的子板的底面,并在该子板的底面上装设数个锡球构成一个记忆体模组,又该数个锡球叠装在另一记忆体模组的子板的顶面上,其中位于最底面子板借其底面的数个锡球组装在一电路母板上。从而,在不变更电路母板尺寸规格下即得以倍数的方式增加记忆容量。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 容量 记忆体 模组 | ||
【主权项】：
1、一种多倍记忆容量的记忆体模组，包括数个记忆体晶片，其特征是：数个记忆体晶片以覆晶式排列装设在一长片状的子板的底面，并在该子板的底面上装设数个锡球构成一个记忆体模组，又该数个锡球叠装在另一记忆体模组的子板顶面上，其中位于最底面子板借其底面的数个锡球组装在一电路母板上。
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