[实用新型]通讯设备过压过流保护用半导体管无效
| 申请号： | 99238907.0 | 申请日： | 1999-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN2398728Y | 公开（公告）日： | 2000-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王晓昀 | 申请（专利权）人： | 王晓昀 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00 |
| 代理公司： | 珠海市专利事务所 | 代理人： | 张静华 |
| 地址： | 519001 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 通讯设备过压过流保护用半导体管,由N型硅衬底、P+、P－型扩散区、N+型扩散区和双介质绝缘膜保护层以及多元金属化电极系统构成,衬底上下两面有对称的P型区,且P区形成高低结,P区内的N+区是转动180°的对称分布,N+区内有规则排列的短路点,金属化电极以外的表面有起保护作用的双介质绝缘膜。本实用新型可以得到正反向对称的负阻型伏安特性,且转折电流和转折电压可以通过高低结和短路点的设计在很大范围内调控,从而获得通讯设备中过压保护及高电压下的过流保护用的半导体管系列。本实用新型呈平面结构,并将部分集成电路的制造技术应用于大功率器件的制造,达到了简化工艺、降低成本、提高性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 通讯设备 保护 半导体 | ||
【主权项】：
1、通讯设备过压过流保护用半导体管，由N型硅衬底、P+、P-型扩散区、N+型扩散区和双介质绝缘膜保护层以及多元金属化电极系统构成，其特征在于：衬底上下两面有对称的P型区，且P区形成高低结，P区内的N+区是转动180°的对称分布，N+区内有规则排列的短路点，金属化电极以外的表面有起保护作用的双介质绝缘膜。
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