[实用新型]介质分布布拉格反射镜腔面发射微腔激光器无效
| 申请号： | 99253155.1 | 申请日： | 1999-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN2422762Y | 公开（公告）日： | 2001-03-07 |
| 发明（设计）人： | 宁永强;刘云;刘星元;王立军;武胜利;吴东江;赵家民;潘玉寨;索辉;曹昌盛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 130021*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本实用新型属于光电子技术领域,涉及一种介质分布布拉格反射镜腔面发射微腔激光器。包括有介质分布布拉格反射镜,上电极金属层,量子阱有源层,半导体等。介质分布布拉格反射镜和半导体分布布拉格反射镜,在量子阱有源层的上下两面,作为本实用新型的腔中的两个反射镜。上电极金属层和下电极金属层,分别制在P1－接触层和n1－接触层的上面,使得注入电流不经过介质分布布拉格反射镜和半导体分布布拉格反射镜,避免了两者形成的高电阻,降低了工作电流,同时减少了器件产生的热量。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 分布 布拉格 反射 镜腔面 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种介质分布布拉格反射镜腔面发射微腔激光器，主要有半导体衬底(8)，n+-接触层(7)，下电极金属膜(6)，半导体分布布拉格反射镜(5)，量子阱有源层(4)，P+-接触层(3)，上电极金属层(2)，介质分布布拉格反射镜(1)，其特征是量子阱有源层(4)在P+-接触层(3)和半导体分布布拉格反射镜(5)之间，P+-接触层(3)上制有圆环形的上电极金属膜(2)，环形内是介质分布布拉格反射镜(1)；P+-接触层(3)，量子阱有源层(4)和半导体分布布拉格反射镜反射镜形成圆柱形微腔结构；微腔结构置于n+-接触层(7)之上，在n+-接触层(7)上面，圆形微腔结构的周围制有下电极金属膜(6)。
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