[发明专利]有源矩阵衬底,电光转换装置,有源矩阵衬底的制造方法以及电子仪器有效

专利信息
申请号: 99800158.9 申请日: 1999-02-16
公开(公告)号: CN1256763A 公开(公告)日: 2000-06-14
发明(设计)人: 小泽德郎 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G02F1/1345 分类号: G02F1/1345;G02F1/136;G09F9/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王勇,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在有源矩阵衬底、电光转换装置以及有源矩阵衬底的制造方法中,以有效地回避由对于定向膜的摩擦工艺等产生的静电使形成在衬底上的TFT等的破坏为目的,在制造有源矩阵衬底(2)时,在大型衬底(200)的各面板区(20)中,形成矩阵状地形成各像素电极的像素部分(81),数据线驱动电路(60),扫描线驱动电路(70),外部连接用端子(13)的同时,通过导电层形成防止带电用的共用布线(48)。该共用布线(48)形成为跨接相邻面板区的边界,把对于大型衬底(200)施加摩擦工艺时所发生的静电进行收集,使电荷分散。即使用低温处理形成的TFT具有抗静电破坏弱的倾向,也能够通过共用布线(48)保护TFT防止静电破坏。
搜索关键词: 有源 矩阵 衬底 电光 转换 装置 制造 方法 以及 电子仪器
【主权项】:
1.一种有源矩阵衬底,在衬底上形成具有像素电极和连接该像素电极的开关元件的像素单元,在该像素单元周围用于控制上述开关元件的周边电路,以及电连接上述周边电路的外部连接端子,其特征在于:在上述衬底上除去上述像素单元的区域中的至少一部分上形成防止带电用的导电层。
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