[发明专利]应用羧酸羟铵除去耐蚀膜和蚀刻残余物的组合物和方法无效
| 申请号： | 99800385.9 | 申请日： | 1999-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1277682A | 公开（公告）日： | 2000-12-20 |
| 发明（设计）人： | J·J·萨巴里 | 申请（专利权）人： | 硅谷化学实验室公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭建新 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用弱羧酸部分地中和的羟胺与有机溶剂(例如烷基亚砜、吡咯烷酮或砜)的混合物,该混合物从基片除去固化的光刻胶和聚合光刻胶残余物,减小了金属腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 羧酸 除去 耐蚀膜 蚀刻 残余物 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从基片除去光刻胶和光刻胶残余物的组合物，该组合物包括：(a)2.5wt％～40wt％羟胺；(b)2.5wt％～40wt％水；(c)0.1wt％～25wt％具有四个或更少的碳原子的一元羧酸或二元羧酸；以及(d)10wt％～90wt％选自下组的有机溶剂：烷基亚砜、烷基砜和吡咯烷酮。
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