[发明专利]抛光铜膜后清洁处理半导体衬底的方法和设备无效
| 申请号： | 99801686.1 | 申请日： | 1999-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1304439A | 公开（公告）日： | 2001-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李煦;赵岳星;戴安娜·J·海默斯;约翰·M·德·拉瑞奥斯 | 申请（专利权）人： | 莱姆研究公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;C09K13/06;C09K13/08 |
| 代理公司： | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈宇萱,穆魁良 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明叙述了用于清洁处理经过化学机械抛光后的半导体衬底的溶液,方法和设备。本发明包括了一种清洁溶液,为去离子水、有机化合物以及铵化合物的混合,产生酸性pH条件,用于清洁处理经过抛光铜层的半导体衬底表面。所述的清洁处理经过铜化学机械抛光后的半导体衬底的方法,缓解了有关刷子载物及表面和表面下污染的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 铜膜后 清洁 处理 半导体 衬底 方法 设备 | ||
【主权项】：
1．清洁处理半导体衬底的清洁处理溶液，其包括：第1种适量的去离子水；第2种适量的有机酸；第3种适量的铵化合物；其中，混合所述的去离子水，所述的有机酸和所述的铵化合物，产生酸性PH条件。
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