[发明专利]受限型电子场致发射器件及其制造工艺无效
| 申请号： | 99801823.6 | 申请日： | 1999-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1287679A | 公开（公告）日： | 2001-03-14 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔D·波特 | 申请（专利权）人： | 先进图像技术公司 |
| 主分类号： | H01J21/10 | 分类号： | H01J21/10;H01J3/02;H01J9/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李辉,谷慧敏 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 横向发射体场致发射器件(10)具有栅极(60),该栅极通过绝缘层(80)与包含器件(10)的其它部件的真空或填充气体的微腔室环境(20)隔开。例如在微腔室(20)的外部设置栅极(60)。设置绝缘层(80)以便对从横向发射体(40,100)发射的电子来说不存在通过真空或填充气体到达栅极的通路。设置在发射体与栅极之间的绝缘层(70,80)最好包括具有介电常数大于1的材料。该绝缘层最好还在器件的电子能量工作范围内具有低二次电子产生率。对于显示应用来说,绝缘层最好是透明的。发射的电子被限制到包含发射体(100)的微腔室(20)内。发射体电流的栅极电流成分仅由位移电流组成。该位移电流是栅极电位相对其它部件例如相对发射体的任何变化的结果。防止从发射体到栅极的直接电子电流。器件的阵列包括微腔室阵列,以致来自各发射体(100)的电子电流仅可到达相同微腔室中的阳极(50,55),即使对于没有栅电极(60)的二极管器件也如此。制造工艺方法(S1－S28)特别适于制造器件和这种器件的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 受限 电子 发射 器件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1．一种微电子场致发射器件，具有设置于腔室中的发射体和阳极、栅电极和绝缘膜，所述器件的特征在于：设置所述绝缘膜以防止在所述发射体和所述栅电极之间流过DC电流。
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