[发明专利]用于零电压开关的绝缘栅双极晶体管无效
| 申请号： | 99802681.6 | 申请日： | 1999-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1290404A | 公开（公告）日： | 2001-04-04 |
| 发明（设计）人： | A·埃拉塞尔;M·J·舒滕 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,傅康 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种IGBT适用于ZVS工作,所以显著减少了ZVS工作期间的开关损耗。实际上,IGBT适用于作为具有非常小双极晶体管元件的MOSFET工作。通过减少传导期间注入到器件的少子数量,可以减少开关损耗。此外,该ZVSIGBT结构允许在工作温度升高时存储电荷少量增加,允许器件在较高温下以较低开关损耗工作。此外ZVSIGBT结构允许工作温度升高时存储的电荷少量增加,允许器件在较高的温度下以较低的开关损耗工作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电压 开关 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种适用于ZVS工作的IGBT，包括：包括栅和源的MOSFET部分，和包括发射极、基极和集电极的双极晶体管部分；栅、源、基极和发射极位于与其上具有集电极的另一侧相对的IGBT的一侧上，漂移层位于两侧之间；所说集电极包括与漂移层的厚度相比较薄的P+层，所说P+层以预定量掺杂成使正向压降最小，同时基本上不增大漂移层中存储的总电荷；位于P+层和漂移层间的N+缓冲层，该缓冲层与漂移层相比较薄，所说漂移层具有位于P+／N-集电极界面的边缘的局部寿命限制层，在其边缘以外，漂移层内部没有寿命限制层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司，未经通用电气公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99802681.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
