[发明专利]电镀设备及方法无效
| 申请号： | 99802920.3 | 申请日： | 1999-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1290310A | 公开（公告）日： | 2001-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王晖 | 申请（专利权）人： | ACM研究公司 |
| 主分类号： | C25D5/02 | 分类号： | C25D5/02;C25D5/08;C25D5/18;C25D21/12;H01L23/532;H01L21/768;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在其上有阻挡层的基片上直接电镀导电膜的设备,包括置于管(109)内的阳极棒(1)、分别放在圆柱壁(107,105)、(103,101)之间的阳极环(2和3)。阳极(1,2,3)分别由电源(13,12,11)供电。电解液(34)由泵(33)抽出通过过滤器(32)并到达液体质量流量控制器(LMFC)(21,22,23)的入口。然后LMFC(21,22,23)分别以设定的流量输送电解液到包含阳极(3,2,1)的子电镀槽。在流过晶片(31)和圆柱壁(101,103,105,107和109)顶部之间的间隙之后,电解液分别通过圆柱壁(100,101)、(103,105)、(107,109)之间的空间流回容器(36)。压力泄漏阀(38)置于泵(33)出口和电解液池(36)之间,当LMFC(21,22,23)关闭时使电解液排回电解液池(36)。由晶片夹盘(29)固定的晶片(31)连接到电源(11,12,13)。驱动机构(30)用于绕z轴旋转晶片(31)并在所示x、y、z方向振荡晶片。过滤器(32)过滤大于0.1或0.2μm的颗粒以便获得低颗粒填充的电镀工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 设备 方法 | ||
【主权项】：
权利要求书1．一种在基片表面上电镀薄膜到所需厚度的方法，其中包括下列步骤：在基片表面的第一部分上电镀薄膜到所需厚度；以及至少在基片表面的第二部分上电镀薄膜到所需厚度，以在基片上获得所需厚度的连续膜。
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