[发明专利]包括具有减小的寄生电容的电容器的电压升压电路无效
| 申请号： | 99804815.1 | 申请日： | 1999-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1296630A | 公开（公告）日： | 2001-05-23 |
| 发明（设计）人： | G·马恩菲尔德特 | 申请（专利权）人： | 阿斯特拉曾尼卡有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00;H02M3/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,王忠忠 |
| 地址： | 瑞典南*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集成电路的一种电容器结构,该结构包括一个主电容器和一个寄生电容器,包括一个第一种导电类型的衬底(2000);第一个介电层(2040);部署在第一个介电层(2040)上的第一个导电层(2010),上述第一个导电层(2010)形成主电容器的第一个板极和寄生电容器的第一个板极;部署在第一个导电层(2010)上的第二个介电层(2020);以及部署在第二个介电层(2020)上的第二个导电层(2030),第二个导电层(2030)形成主电容器的第二个板极;其特征在于,该电容器结构进一步包括部署在衬底(2000)内的一个阱(2100),该阱是与上述第一种类型相反的第二种导电类型的,第一个介电层(2040)部署在阱(2100)上,而阱(2100)形成寄生电容器的第二个极极,并与衬底(2000)形成另外一个结电容器,该构造使得寄生和结电容器相互串联,并与主电容器串联,从而减小杂散电容。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 减小 寄生 电容 电容器 电压 升压 电路 | ||
【主权项】：
1．集成电路的一种电容器结构，该结构包括一个主电容器和一个寄生电容器，包括一个第一种导电类型的衬底2000；第一个介电层2040；部署在第一个介电层2040之上的第一个导电层2010，第一个导电层2010形成主电容器的第一个板极和寄生电容器的第一个板极；部署在第一个导电层2010之上的第二个介电层2020；和部署在第二个介电层2020之上的第二个导电层2030，第二个导电层2030形成主电容器的第二个板极；其特征在于该电容器结构进一步包括部署在衬底2000内的一个阱2100，该阱是与上述第一种类型相反的第二种导电类型的，第一个介电层2040部署在阱2100之上，阱2100形成寄生电容器的第二个板极，并与衬底2000形成另外一个结电容器，该构造使得寄生和结电容器相互串联，并与主电容器串联，从而减小杂散电容。
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