[发明专利]InP－基多量子阱激光器

摘要

1.3μm波段的InP－基多量子阱激光器具有至少一个,最好几个,夹持在具有更大带隙的势垒层之间的阱层。阱层和势垒层都具有大体相同的Ⅲ族元素组份,但V族元素组份不同。阱层与衬底的晶格常数的差别在可能的电压极限之内,即所谓的失配,其中阱层具有较小的失配。

主权项

1．一种InP-基多量子阱激光器，包括Ⅲ族元素In,Ga以及可能有的Al和V族元素P和As，在1.3μm波段工作，并且建立在InP衬底上，具有至少一个与衬底晶格失配的、夹持在势垒层之间的外延阱层，势垒层的能隙大于上述的阱层，其中上述阱层具有一个对应于激光器波长的、从其导带中第一个量子态到其价带中第一个量子态的能量跃迁，上述阱层和势垒层具有大体相同的Ⅲ族元素组份，其特征在于势垒层的失配是拉伸性的，或者通过势垒层中V族元素组份的变化而实现的晶格自适应，从而使有效空穴势垒小于170meV，最好小于150meV。