[发明专利]半导体位置探测器无效
| 申请号： | 99808149.3 | 申请日： | 1999-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1308776A | 公开（公告）日： | 2001-08-15 |
| 发明（设计）人： | 竹下辰夫;榊原正之;野田浩二 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/16 | 分类号： | H01L31/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体位置探测器,采用对其栅极电极(11)的电位进行控制的办法,通过进行基干导电层(2－1、2－2)的断开/连接控制,就可以使半导体位置探测器起着PSD的作用或2分割PD的作用。倘采用该半导体位置探测器,由于不需要PSD之外的另外的PD,故可以使装置本身小型化,此外,由于可以向受光面照射全信号光,故可以提高探测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 位置 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种根据受光面上边的入射光位置使从半导体导电层的两个端部分别输出的电流值可变的半导体位置探测器，其特征是：在上述半导体导电层的途中设置可以断开上述两个端部间的电传导的门控装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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