[发明专利]磁性传感器无效
| 申请号： | 99808398.4 | 申请日： | 1999-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1308758A | 公开（公告）日： | 2001-08-15 |
| 发明（设计）人： | 濑山喜彦 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种利用巨磁阻(GMR)的磁性传感器,它包含制作在下端子层上并具有接触孔的绝缘层;制作在包括整个接触孔和部分环绕接触孔的绝缘层的区域中的GMR层;以及上端子层。此传感器紧凑而易于制造,并具有大的磁阻变化比率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 传感器 | ||
【主权项】：
1．一种利用巨磁阻(GMR)效应的磁性传感器，其中具有接触孔的绝缘层被制作在下端子层上，其上在包括整个接触孔和至少环绕绝缘层的区域上制作有GMR层，并在其上制作有上端子层。
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