[发明专利]具有钝化膜的半导体器件无效
| 申请号： | 99808413.1 | 申请日： | 1999-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1135493C | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | J·维勒尔;P·－W·冯巴瑟;T·谢特尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00;H01L21/314 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在具有由至少两个配对钝化层组成的钝化膜的器件中，最上层的配对钝化层淀积在位于下层的平整表面上。配对钝化层由两层不同介质材料组成，例如氧化硅和氮化硅。各钝化层的有关厚度可以与在其上淀积钝化层的结构化层的尺寸匹配。由此可以得到一种可靠的钝化膜，它尤其适用于电容性测量的指纹传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 钝化 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.具有半导体本体(1)的半导体器件，该本体承载中间区结构化的层(5)，-在该器件上，有由至少两个上下依次淀积的配对钝化层(6、7；8、9)组成的一个钝化膜，此钝化膜在远离半导体本体(1)的一侧上覆盖结构化层(5)，并填满结构化层(5)的中间区，-在该器件上，每个配对钝化层是由两种不同介质材料的钝化层组成的，-在该器件上，至少距半导体本体最远的配对钝化层(8、9)，以均匀的厚度淀积在前面的配对钝化层(6、7)制成的平整的上表面上，-在该器件上，结构化层(5)是一种金属化层，并且淀积在半导体本体(1)上表面的至少一个由介质组成的薄层上，-在该器件上，金属化层构成电容性测量的指纹传感器的导体面，和-在该器件上，距金属化层最远的配对钝化层(8、9)具有一个构成指尖放置面的表面。
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