[发明专利]晶体生长设备及晶体生长方法

摘要

晶体生长设备,包括一个装有供晶体从其中生长的熔融材料的坩埚,和接收沿入射光路直射的光束并将其反射到第二个反射装置的第一个反射装置,借此第二个反射装置沿射出光路反射射出光束。第一和第二个反射装置配置在熔融材料的表面或靠近表面处,使在晶体生长过程中,它们相对熔融材料表面的位置基本上保持不变。该设备可以包括支承第一和第二个反射装置的支承装置,所置配的支承装置浮在熔融的材料上。该设备可以是单坩埚设备或双坩埚设备。在双坩埚设备中,支承装置可以是装有熔融材料的第二个内坩埚,它与第一个坩埚中的熔融材料是流体相通的,内坩埚浮在第一个坩埚中的熔融材料上,第一和第二个反射装置支承在内坩埚上。该设备还可包括图象处理装置,用于形成晶体或生长界面区的任何部位的图象,并在生长过程中测定晶体的直径或弯液面的直径。该设备还可包括根据测定的晶体或弯液面区的直径,控制晶体生长的装置。本发明还涉及用于生长晶体和晶体生长方法中使用的坩埚。

主权项

1．一种晶体生长的设备，其中包括：一个装有供晶体从其中生长的熔融材料的坩埚，在熔融材料和晶体之间具有弯液面区，第一个反射装置，接收沿入射光路射来的光束，并反射横向通过生长界面区的光束，和第二个反射装置，接收横向通过生长界面区的反射光束，并反射沿射出光路的射出光束，其中第一和第二个反射装置配置在熔融材料的表面或靠近表面处，以使在晶体生长过程中，它们相对于熔融材料表面的位置基本上保持不变。