[发明专利]用于清洗微电子衬底的含硅酸盐碱性组合物有效

专利信息
申请号: 99808801.3 申请日: 1999-05-17
公开(公告)号: CN1309785A 公开(公告)日: 2001-08-22
发明(设计)人: D·C·斯基 申请(专利权)人: 马林克罗特有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 卢新华,罗才希
地址: 美国密苏里*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种水基碱性组合物,用于微电子工业中,通过清除光刻胶残渣和其它不要的污染物以清除或清洗半导体晶片衬底。所述组合物典型低含有(a)一种或多种无金属离子的碱,其含量足以产生约11或更大的pH值,(b)约0.01-5重量%(表示为%SiO2)的水溶性无金属离子的硅酸盐;(c)任选地,约0.01-10重量%的一种或多种螯合剂;(d)任选地,约0.01-80重量%的一种或多种水溶性有机共溶剂;(e)任选地,约1-50重量%的钛残渣清除增强剂;和(f)任选地,约0.01-1重量%的水溶性表面活性剂。
搜索关键词: 用于 清洗 微电子 衬底 硅酸盐 碱性 组合
【主权项】:
1.一种清除或清洗集成电路衬底的组合物,它包含:(a)一种或多种无金属离子的碱;(b)一种水溶性无金属离子的硅酸盐;和(c)水。
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