[发明专利]电可擦除非易失性存储器无效
| 申请号： | 99808947.8 | 申请日： | 1999-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1310846A | 公开（公告）日： | 2001-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王鼎华 | 申请（专利权）人： | 可编程硅咨询公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人： | 马娅佳,穆魁良 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 非易失性存储器单元(10)是高度地可变更尺寸的,包含一个以三重势阱形式构成的单元。控制栅极(12)是被负偏置的。当擦除时,借助于P－势阱(30)和漏极(或源极)(18)正偏置于特定的电压范围中。栅极感应的漏极泄漏(GIDL)电流和来自空穴俘获的降级能被减少,并因此能得到可变更尺寸的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 擦除 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1、一种在P型区形成的非易失性存储器单元，包含：具有一个浮置栅极、一个控制栅极、及在所述P型区中形成的用作源极和漏极的第一和第二掺杂区的晶体管；所述浮置栅极是可借助电子隧道效应被擦除的，电子隧道从所述浮置栅到所述第一个掺杂区，并且所述第一掺杂区和所述P型区是正偏置的，以致在所述第一个掺杂区偏置和P型区偏置间的电位差小于或等于Vcc，并且大于0；一个在控制栅极上的负偏置；并且所述第二个掺杂区是被一个等于或大于P型区的偏置电位的正电位所偏置。
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