[发明专利]存储单元阵列及其制法无效
| 申请号： | 99809580.X | 申请日： | 1999-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1312943A | 公开（公告）日： | 2001-09-12 |
| 发明（设计）人： | S·施瓦茨尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在存储单元阵列内提供第1和第2导线,在其交叉处安排具有磁致电阻效应的存储元。提供一磁轭,分别包围导线之一并包含具有导磁率至少为10的可磁化材料。该磁轭是如此安排的,使得通过磁轭磁通基本上经存储元闭合。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 阵列 及其 制法 | ||
【主权项】：
1、存储单元阵列，其特征为：-其中，提供至少一条第1导线(L1)，一条第2导线(L2)，和一条具有磁致电阻效应的存储元(SE)，-其中，存储元安排在第1导线(L1)和第2导线(L2)之间的交叉处，-其中，安排一磁轭(J)，它局部包围导线(L2)之一，并包含具有相对导磁率至少为10的可磁化材料，-其中，如此安排一磁轭(J)，使得通过磁轭的磁通经存储元(SE)基本闭合。
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