[发明专利]具有改善的抗干扰性的磁致电阻存储器有效
| 申请号： | 99810892.8 | 申请日： | 1999-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1318198A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | W·维贝尔;R·特维斯;G·普拉萨 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请对象涉及磁致电阻存储器，其中，在较小的芯片面积情况下，通过以下方式改善了抗干扰性，即在两个互补位线之间存在垂直的字线，在位线和字线之间存在一正规的单元的、磁致电阻存储器系，在互补的位线和字线之间存在互补的存储单元从属的磁致电阻存储器系。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 抗干扰 致电 存储器 | ||
【主权项】：
1．磁致电阻存储器，其中，上下垂直重叠地存在用于第1位线(BL)的层，第1存储单元(Z)的磁致电阻层系(MRS)，用于字线(WL)的层，第2存储单元(Z)的磁致电阻层系和用于另一位线(BL)的层。
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