[发明专利]将气密盖密封到半导体管芯的方法和装置无效
| 申请号： | 99811548.7 | 申请日： | 1999-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1320101A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | J·G·舒克 | 申请（专利权）人： | 硅光机器公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;H01L23/10;G02B5/18;G02B26/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种气密地钝化半导体器件的方法和装置包括将盖直接密封到半导体衬底上。有源器件形成在衬底的表面上,并由基本上平坦的盖密封区环绕,进而由键合焊盘环绕。第一层可焊接材料形成在盖密封区上。提供盖,盖具有结构上对应于第一层的第二层可焊接材料。焊料层提供在可焊接材料的第一层和第二层之间。在优选实施例中,焊料形成在第二层上。加热以将盖气密地结合到半导体器件上同时不需要常规的封装。优选第一和第二层为使用常规半导体技术处理的常规已知可焊接材料的多层结构。通过调节一层或两层可焊接材料的相对宽度可以控制盖和半导体器件之间的角度。 | ||
| 搜索关键词： | 气密 密封 半导体 管芯 方法 装置 | ||
【主权项】：
1．一种具有气密密封的微电子机械(MEM)，包括：a．其上形成有有源MEM器件的衬底；b．环绕有源MEM器件的盖密封区；c．形成在盖密封区上的第一层可焊接材料；d．形成在第一层可焊接材料上的焊料层；e．形成在焊料层上的第二层可焊接材料；f．形成第二层可焊接材料上的盖，由此形成气密密封。
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