[发明专利]半导体芯片与衬底的焊接无效

专利信息
申请号: 99811705.6 申请日: 1999-09-23
公开(公告)号: CN1321409A 公开(公告)日: 2001-11-07
发明(设计)人: L·A·奥洛夫松 申请(专利权)人: 艾利森电话股份有限公司
主分类号: H05K3/34 分类号: H05K3/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王勇,李亚非
地址: 瑞典斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及到一种将半导体芯片焊接到诸如射频功率晶体管中的封壳之类的衬底的方法。半导体芯片被提供有由第一材料组合物组成的粘合层。由第二材料组合物组成的可焊接层被排列在此粘合层上。由第三材料组合物组成的抗氧化层被排列在可焊接层上。用金-锡焊料层涂敷抗氧化层。芯片经由金-锡焊料被置于可焊接的封壳表面上。封壳和芯片被暴露于引进了还原气体的惰性气氛,在金-锡焊料被加热到其熔点以上的温度的情况下,使封壳和芯片处于明显低于大气压的压力。在金-锡焊料被熔化的情况下,提高气压,并在超过预定气压时降低温度,使金-锡焊料凝固。
搜索关键词: 半导体 芯片 衬底 焊接
【主权项】:
1.一种将半导体芯片焊接到衬底例如射频功率晶体管中的封壳的方法,其特征是用由第一材料组合物组成的粘合层涂敷半导体芯片;用由第二材料组合物组成的可焊接层覆盖粘合层;用由第三材料组合物组成的抗氧化层覆盖所述可焊接层;用金-锡焊料层覆盖抗氧化层;将芯片经由所述金-锡焊料置于封壳的可焊接表面上;将封壳和芯片暴露于其中引进了还原气体的惰性环境,并使所述封壳和芯片处于明显低于大气压的压力,同时将金-锡合金加热到高于其熔点温度的温度;在金-锡焊料被熔化的情况下,提高气体压力;以及当超过预定气体压力时,降低温度,使金-锡焊料凝固。
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