[发明专利]控制液体中溶解气体浓度的方法和系统无效
| 申请号： | 99812199.1 | 申请日： | 1999-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1323445A | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | 库尔特·K·克里斯坦森 | 申请（专利权）人： | FSI国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B01F3/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及建立和保持溶解在一液体中的气体的精确浓度的一种方法和系统。本发明特别涉及这样一种建立和保持溶解在一液体中的气体的精确浓度的方法和系统,它使用其所含所需气体的浓度足以与待溶解在该液体中的气体的所需浓度取得平衡的一气体混合物、即一“匹配气体混合物”制备一包括所需浓度的气体的液体混合物。这样,本发明方法和系统所生成的包括精确浓度的溶解气体的液体混合物可用于技术要求严格的应用场合,此外,本发明和系统可把如此生成的液体混合物输送到使用场所,但溶解气体几乎没有损失。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 液体 溶解 气体 浓度 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种用包括溶解气体的液体混合物处理基片的方法，包括下列步骤：(a)在一匹配气体混合物在场的情况下把一液体雾化以形成一包括该液体和一定浓度的溶解气体的雾化液体混合物；以及(b)使得该雾化液体混合物接触该基片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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