[发明专利]玻璃的二氧化硅膜织构化无效
| 申请号： | 99813034.6 | 申请日： | 1999-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1325550A | 公开（公告）日： | 2001-12-05 |
| 发明（设计）人： | 季静佳;施正荣 | 申请（专利权）人： | 太平太阳有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,梁永 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜硅太阳能电池被形成在涂敷有织构化层(32)的玻璃基底(11)上,该层包括混合有织构颗粒(34)的SiO2膜(33),织构颗粒的直径约为1－2μm,由此形成织构表面(39)。SiO2膜比织构颗粒的平均直径薄,使得石英穿过甩涂玻璃突出出来。此时电介质层提供势垒层功能,然而,可以选择采用具有与织构化表面(39)共形的上表面(35)的独立的抗反射膜(38)。如图所示,然后在抗反射膜(38)的织构化表面(35)上面形成硅膜(15)。该硅膜的厚度最好是0.5－2μm(也就是,厚度类似于SiO2层表面上提供的织构零件的尺寸)。尽管用这种方法制作的硅膜松散地与其下方的织构化表面共形,但该膜的相反表面至少在小尺度上基本上不平行,使得光通常以一定角度穿过硅膜到硅表面。更重要的是,光将时常以与表面(36)法线成较大角度,撞击硅膜的后表面(图中是上表面),使得对于大量的入射光,会发生内部全反射。表面(36)也可以用反射材料(40)(比如后部接触)来涂敷,以协助内部反射到达这个表面的光。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 二氧化硅 膜织构化 | ||
【主权项】：
1．一种在制作于玻璃基底或上基底上的薄膜硅太阳能电池中形成光捕集结构的方法，该方法包括下列步骤：a)将织构层涂敷到玻璃基底或上基底的表面，该织构层包括束缚在粘接材料中的织构颗粒；和b)在织构化表面上形成硅膜，并在硅膜内形成光电器件结构，硅膜小于10μm厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
