[发明专利]用于单侧晶片的离子提取的方法和装置无效
| 申请号： | 99813186.5 | 申请日： | 1999-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1326546A | 公开（公告）日： | 2001-12-12 |
| 发明（设计）人： | 孙鹏(音译);马蒂·亚当斯 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/34 | 分类号： | G01N1/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 从硅片前表面提取无机离子污染物以供化学分析的方法和装置。该硅片放在一个容器内的支座上,使硅片水平放置并把硅片隔离以防止前表面上方空气流动,空气流动可以把污染带入提取液,从而引起在硅片上污染的错误测量。在硅片前表面上沉积一层提取液,并维持一段时间以使前表面的污染被提取到液层中。一部分液层用取样机构收集以供以后的分析。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 离子 提取 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种从硅片的前表面提取无机离子污染物以作化学分析的方法，包括：把硅片放在支撑硅片的支座上，支撑硅片总体水平取向并使硅片的前表面向上；隔离硅片以防止在前表面上方的空气流动；只在硅片的前表面上沉积一层提取液体；让该层提取液在前表面上保持一段时间以使在前表面上的污染物被提取到液体层中去；从前表面上收集一部分液体层以便以后分析。
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