[发明专利]蚀刻溶液,蚀刻制品和制造蚀刻制品的方法有效
| 申请号： | 99813592.5 | 申请日： | 1999-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1328696A | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 毛塚健彦;陶山诚;板野充司 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;C09K13/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉,丁业平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含氟化氢(HF)的蚀刻溶液,其蚀刻速率的比值为硼玻璃膜(BSG)或硼磷玻璃膜(BPSG)的蚀刻速率/热氧化膜(THOX)的蚀刻速率在25℃为10或更大。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 溶液 制品 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.含氢氟酸的蚀刻溶液，其中硅酸硼玻璃膜(BSG)或磷硅酸硼玻璃膜(BPSG)的蚀刻速率/热氧化物膜(THOX)的蚀刻速率的比值在25℃为10或更大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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