[发明专利]光波导的制作方法无效
| 申请号： | 99814429.0 | 申请日： | 1999-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1330772A | 公开（公告）日： | 2002-01-09 |
| 发明（设计）人： | J·P·德雷克 | 申请（专利权）人： | 博克汉姆技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/30 | 分类号： | G02B6/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种用来处理波导结构的方法,其中波导结构包括一个具有集成肋形波导(2)的硅衬底。该波导具有一个带小平面(52)的端部,该端部悬伸出硅衬底,并在其下侧有一层氧化物层(3),此氧化物层突出于波导小平面之外(11)。一层氮化物层(10)在波导上表面和小平面上延伸。处理过程包括从下侧蚀刻氧化物层(3,11),生长一层新的氧化物层,蚀刻氮化物层(10),然后沉积一层新的氮化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理波导结构的方法，其中波导结构包括：硅衬底，它具有一集成的肋形波导，波导具有一个带小平面的端部，此端部悬伸出硅衬底，并在其下侧具有一层从波导小平面伸出的氧化物层，还具有一层在波导上表面和小平面上延伸的氮化物层，其特征在于，所述方法包括以下步骤：i)执行氧化物蚀刻步骤，从下侧去除氧化物层；ii)执行氧化物生长步骤，在下侧的外露硅上形成一层新的氧化物层，所述新的氧化物层在小平面处终止；iii)执行氮化物蚀刻步骤，去除氮化物层；以及iv)沉积一层新的氮化物层，它在上表面和小平面上延伸，但不突出在小平面之外，从而在小平面上制成氮化硅。
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