[发明专利]通过选择液体粘度和其他前体特性来改善液体淀积的方法无效
| 申请号： | 99816011.3 | 申请日： | 1999-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1398426A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 林慎一郎;拉里·D·麦克米伦;卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;B05D1/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 混合多种液体，每个液体的流量由体积流量控制器(515，535)控制，以形成最终的前体，最终的前体被雾化后淀积在基片上。通过调整体积流量控制器(515，535)来调整液态前体的物理特性，以使在前体被涂敷到基片并被处理时，最终的固体材料薄膜(30，50，236，489，492)具有平滑且平坦的表面(31，51，235，488，493)。通常情况下，该物理特性是前体的粘度，它被选择得相当低，在1－2厘泊范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 选择 液体 粘度 其他 特性 改善 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造固体材料薄膜(30，50，236，489，492)的方法，包括以下步骤：提供一个基片(12，102，381)以及一种液态前体，所述液态前体在涂敷到基片并被处理时适合于形成所述固体材料薄膜；将所述液态前体涂敷到所述基片上；以及处理所述基片上的所述液态前体，以形成所述固体材料薄膜(30，50，236，489，492)；其特征在于：在所述涂敷步骤之后，改变所述液态前体的物理特性；以及，在所述改变步骤之后，连续地将具有所述已改变的物理特性的液态前体涂敷到所述基片上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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