[发明专利]减轻由于金属氧化物陶瓷的移动物质扩散造成的金属氧化物陶瓷退化无效
| 申请号： | 99816072.5 | 申请日： | 1999-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1334962A | 公开（公告）日： | 2002-02-06 |
| 发明（设计）人： | F·S·欣特迈尔;J·F·雷德;B·C·亨德里克斯;D·A·德斯罗切尔斯;T·H·鲍姆 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司;先进技术材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过特别选择组分和/或淀积参数,减少过量移动物质从金属氧化物陶瓷的扩散。在金属氧化物陶瓷层之下提供与过量移动物质反应的阻挡层,防止或减少过量移动物质穿过下电极扩散到衬底中。 | ||
| 搜索关键词： | 减轻 由于 金属 氧化物 陶瓷 移动 物质 扩散 造成 退化 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供包括部分形成的半导体器件的衬底；在下电极上淀积金属氧化物陶瓷，其中所说金属氧化物陶瓷包括特别选择的组分以减少过量物质扩散；及退火衬底，形成具有良好电特性的金属氧化物陶瓷。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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