[发明专利]用于绝缘体上硅结构多米诺电路中双极性消除的方法与装置有效
| 申请号： | 99816482.8 | 申请日： | 1999-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1156980C | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·D·达维斯;萨尔瓦特·N·斯特里诺;杰弗·V·特兰;罗伯特·R·威廉斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20;H03K19/094 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 简单地说，提供用于绝缘体上硅结构(SOI)多米诺电路中双极性消除的方法与装置。用于绝缘体上硅结构(SOI)多米诺电路中双极性消除的装置包括一个多米诺绝缘体上硅结构(SOI)场效应晶体管(402)。一个输入接至此多米诺绝缘体上硅结构(SOI)场效应晶体管(402)。一个预放电器件连接所述多米诺绝缘体上硅结构(SOI)场效应晶体管(402)。预放电器件在多米诺电路的预充电方式期间起动，使SOI寄生双极性晶体管不起动。一个动态输入电路(300)把输入接至多米诺绝缘体上硅结构(SOI)场效应晶体管(402)。在预充电方式期间动态输入电路(300)的输出为低电平。在求值方式期间动态输入电路(300)的输出相当于输入。动态输入电路(300)的输出用于栅控预放电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘体 结构 多米诺 电路 极性 消除 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于绝缘体上硅结构(SOI)多米诺电路中双极性消除的方法包括步骤：提供一个接至一个多米诺SOI场效应晶体管的放电器件；通过一个动态电路把一个输入接至所述多米诺SOI场效应晶体管；与在多米诺电路的预充电方式期间起动所述放电器件，利用所述动态电路的一个输出以起动所述放电器件，所述动态电路在所述预充电期间提供一个低输出，而在求值方式期间提供一个相应于所述输入的输出。
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